有機EL素子の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-370579
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282253
出願日： 2002年12月20日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】素子の正常部に損傷を与えることなく、膜欠陥部を予め適切にオープン破壊させることのできる有機EL素子の製造方法を提供する。【解決手段】陽極と陰極との間に有機膜を挟んでなる有機EL素子を形成する工程と、有機EL素子において陽極と陰極との間に電圧を印加するエージング処理を行って欠陥部をオープン破壊させるエージング工程とを備える有機EL素子の製造方法において、有機EL素子に逆バイアス電圧を印加したときに流れる電流を測定することにより、欠陥部の破壊電圧および有機EL素子の破壊電圧を求めた後、これら両破壊電圧の間の電圧範囲を、エージング処理における印加電圧の範囲としてエージング工程を行う。

請求項（抜粋）：

陽極(2)と陰極(8)との間に有機膜(3〜6)を挟んでなる有機EL素子(S1)を形成する工程と、前記有機EL素子において前記陽極と前記陰極との間に電圧を印加するエージング処理を行って膜に存在する欠陥部をオープン破壊させるエージング工程とを備える有機EL素子の製造方法において、前記有機EL素子に逆バイアス電圧を印加したときに流れる電流を測定することにより、前記欠陥部の破壊電圧および前記有機EL素子の破壊電圧を求めた後、これら両破壊電圧の間の電圧範囲を、前記エージング処理における印加電圧の範囲として前記エージング工程を行うことを特徴とする有機EL素子の製造方法。

IPC (4件)：

H05B 33/10 , H05B 33/12 , H05B 33/14 , H05B 33/28

FI (4件)：

H05B 33/10 , H05B 33/12 Z , H05B 33/14 A , H05B 33/28

Fターム (10件)：

3K007AB08 , 3K007AB18 , 3K007BB04 , 3K007CA01 , 3K007CB01 , 3K007DB03 , 3K007FA01 , 3K007FA02 , 3K007FA03 , 3K007FA04

引用特許：

審査官引用 (6件)

発光装置の修理方法及び作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-302587 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
有機EL素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-132824 出願人：トヨタ自動車株式会社
有機電界発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-119691 出願人：株式会社豊田中央研究所

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