特許
J-GLOBAL ID：200903025508292340
半導体装置の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-349666
公開番号（公開出願番号）：特開平9-171965
出願日： 1995年12月20日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：
【要約】【目的】 珪素の結晶化を助長する金属元素を利用した方法で得られえた結晶性珪素膜を用いて信頼性の高い薄膜トランジスタを作製する。【構成】 非晶質珪素膜103の表面に接して珪素の結晶化を助長する金属元素の化合物(例えばニッケル酢酸塩溶液)を塗布する。そして、紫外光の照射を行うことにより、上記金属元素の化合物を分解する。さらにハロゲンランプからの赤外光の照射による加熱を行い、非晶質珪素膜103が結晶化しない条件で加熱を行う。この加熱工程でニッケル元素を非晶質珪素膜中に拡散させる。そして加熱処理を行うことにより、非晶質珪素膜を結晶化させる。このようにすることにより、ニッケル元素が局所的に偏析した状態のない、一様な結晶性を有した結晶性珪素膜を得ることができる。
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を形成する工程と、前記非晶質珪素膜の表面に接して珪素の結晶化を助長する金属元素の化合物を保持させる工程と、前記非晶質珪素膜の表面に紫外光を照射する工程と、赤外光または紫外線レーザーを照射し前記非晶質珪素膜中に前記金属元素を拡散させる工程と、加熱処理により前記非晶質珪素膜を結晶化させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (6件)：
H01L 21/20
, H01L 21/26
, H01L 21/268
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, H01L 21/268 Z
, H01L 27/12 R
, H01L 21/26 L
, H01L 29/78 627 G
