特許
J-GLOBAL ID：200903025516229126
不揮発性半導体メモリ装置及びそのプログラム方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-179712
公開番号（公開出願番号）：特開2005-196931
出願日： 2004年06月17日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：
【課題】ローディングが相対的に大きいワードラインに対してもプログラムループ回数を減らすことができ、全体のプログラム動作と関連したプログラムループ回数の分布が減少する不揮発性半導体メモリ装置及びそのプログラム方法を提供する。【解決手段】複数のワードラインのうち少なくとも一つの特定のワードラインをさすロウアドレスを予め貯蔵する貯蔵部と、プログラム動作モードで印加されたロウアドレスが前記貯蔵されたロウアドレスと一致する場合、前記特定のワードラインを除いた残りのワードラインに印加されるスタートプログラム電圧のレベルとは異なったレベルを有するスタートプログラム電圧を前記特定のワードラインに提供するためのプログラム電圧供給部とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
不揮発性半導体メモリ装置でのプログラム回路において、
複数のワードラインのうち少なくとも一つの特定のワードラインをさすロウアドレスを予め貯蔵する貯蔵部と、
プログラム動作モードで印加されたロウアドレスが前記貯蔵されたロウアドレスと一致する場合、前記特定のワードラインを除いた残りのワードラインに印加されるスタートプログラム電圧のレベルとは異なったレベルを有するスタートプログラム電圧を前記特定のワードラインに提供するためのプログラム電圧供給部と、を備えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置でのプログラム回路。
IPC (3件)：
G11C16/02
, G11C16/04
, G11C16/06
G11C17/00 611E
, G11C17/00 622E
, G11C17/00 633D
5B125BA01
, 5B125CA11
, 5B125DB12
, 5B125DB18
, 5B125EA05
, 5B125FA01
, 5B125FA02
