不揮発性メモリ用のドレインプログラミング電圧を選択するための回路及び方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-508739
公開番号（公開出願番号）：特表平9-502828
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：

【要約】単一の基板上に作り込まれた不揮発性メモリが開示される。この不揮発性メモリは少なくともメモリセルを有するメモリアレイを含む。該メモリセルは、ドレイン領域、ソース領域、制御ゲート、及びフローティングゲートを有する。プログラミング電圧電源とメモリセルのドレイン領域にはドレインプログラミング電圧発生回路が接続されていて、メモリセルのプログラミング時に該メモリセルのドレイン領域にドレインプログラミング電圧を供給する。ドレインプログラミング電圧発生回路には設定回路が接続されていて、メモリセルが所定のゲートプログラミング電圧を所定のプログラミング時間だけ用いて所定のしきい値電圧の所定範囲内にプログラムされるよう、ドレインプログラミング電圧をメモリセルのプログラミング能力との関連で変化させる。また、不揮発性メモリのドレインプログラミング電圧を、これが不揮発性メモリのプログラミング能力に反比例して変化するように設定する方法も開示される。

請求項（抜粋）：

ドレインプログラミング電圧を用いて不揮発性メモリのプログラミング能力の変動を最小限にするための方法において: (A)不揮発性メモリを製造した後該不揮発性メモリのプログラミング能力を測定するステップと; (B)該不揮発性メモリを、所定のプログラミング時間だけ所定のゲートプログラミング電圧を用いて所定のプログラムされたしきい値電圧を持つようプログラムすることができるように、該不揮発性メモリの該プログラミング能力に従ってドレインプログラミング電圧を設定するステップと;を具備した方法。

引用特許：

審査官引用 (6件)

昇圧電圧調整回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-218484 出願人：ソニー株式会社
特表平4-501479
特開平2-049296

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