特許
J-GLOBAL ID：200903025536489620
シリコンウエーハの製造方法及びシリコンウエーハ並びにSOIウエーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-306689
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229392
出願日： 2002年10月22日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：
【要約】【課題】 ウエーハの表面粗さ及びウエーハ全体の平坦度の悪化を防止することができるシリコンウエーハの製造方法及びその製造方法で作製されたシリコンウエーハを提供する。【解決手段】 少なくとも遊離砥粒によるラッピング工程、アルカリエッチング液によるエッチング工程を有するシリコンウエーハの製造方法において、前記ラッピング工程において遊離砥粒として砥粒の粒子の最大径が21μm以下で平均粒径が8.5μm以下のものを用いてラッピングを行い、その後、前記エッチング工程においてアルカリエッチング液としてアルカリ成分の濃度が50重量%以上のアルカリ水溶液を用いてエッチングを行うことを特徴とするシリコンウエーハの製造方法、及びその製造方法で作製されたシリコンウエーハ。
請求項（抜粋）：
少なくとも遊離砥粒によるラッピング工程、アルカリエッチング液によるエッチング工程を有するシリコンウエーハの製造方法において、前記ラッピング工程において遊離砥粒として砥粒の粒子の最大径が21μm以下で平均粒径が8.5μm以下のものを用いてラッピングを行い、その後、前記エッチング工程においてアルカリエッチング液としてアルカリ成分の濃度が50重量%以上のアルカリ水溶液を用いてエッチングを行うことを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/304 622
, H01L 21/02
, H01L 21/308
, H01L 21/762
, H01L 27/12
H01L 21/304 622 P
, H01L 21/02 B
, H01L 21/308 B
, H01L 27/12 B
, H01L 27/12 E
, H01L 21/76 D
5F032AA06
, 5F032AA07
, 5F032AA91
, 5F032DA21
, 5F032DA33
, 5F032DA53
, 5F032DA60
, 5F032DA71
, 5F032DA74
, 5F043AA02
, 5F043BB02
, 5F043FF07
, 5F043GG10
