特許
J-GLOBAL ID：200903025541930831
シリコン単結晶基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-087667
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274166
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、実用上困難を伴わなず、生産性も損なわないような結晶育成条件にてCZ法により育成したシリコン単結晶から得たシリコン単結晶基板であって、デバイスプロセスで結晶欠陥を消滅させ、耐圧良好であるようなシリコン単結晶基板、更にデバイスプロセス後に適度なゲッタリング特性を有しかつ表面近傍の欠陥が少ないシリコン単結晶基板及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 チョクラルスキー法により製造されたシリコン単結晶から切り出したシリコン単結晶基板であって、該基板中の窒素濃度が1×1013atoms/cm3以上1×1016atoms/cm3以下で、かつ、炭素濃度が5×1016atoms/cm3以上1×1018atoms/cm3以下であり、さらに、該基板の基板厚み全域にわたって、直径換算で0.1μm以上の結晶欠陥が105個/cm3以下であることを特徴とするシリコン単結晶基板及びその製造方法である。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法により製造されたシリコン単結晶から切り出したシリコン単結晶基板であって、該基板中の窒素濃度が1×1013atoms/cm3以上1×1016atoms/cm3以下で、かつ、炭素濃度が5×1016atoms/cm3以上1×1018atoms/cm3以下であり、さらに、該基板の基板厚み全域にわたって、直径換算で0.1μm以上の結晶欠陥が105個/cm3以下であることを特徴とするシリコン単結晶基板。
IPC (4件)：
H01L 21/322
, C30B 29/06
, C30B 29/06 502
, H01L 21/208
H01L 21/322 Y
, C30B 29/06 C
, C30B 29/06 502 H
, H01L 21/208 P
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EB01
, 4G077EH09
, 4G077HA06
, 5F053AA12
, 5F053DD01
, 5F053FF04
, 5F053GG01
, 5F053JJ01
, 5F053KK03
, 5F053PP08
, 5F053RR03
, 5F053RR05
