特許
J-GLOBAL ID：200903087992116432

シリコン単結晶、シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ

発明者：
浅山 英一

浅山 英一 について

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梅野 繁

梅野 繁 について

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宝来 正隆

宝来 正隆 について

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小池 康夫

小池 康夫 について

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定光 信介

定光 信介 について

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末岡 浩治

末岡 浩治 について

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片浜 久

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出願人/特許権者：
住友金属工業株式会社

住友金属工業株式会社 について


代理人 (1件)： 森 道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-083424
公開番号（公開出願番号）：特開2000-272995
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月03日
要約：
【要約】【課題】煩雑な工程を必要とせず、高いゲッタリング能力を発揮することができる。【解決手段】(1) 窒素を1×1012atoms/cm3以上、かつ炭素を0.1〜5×1016atoms/cm3または/およびボロンを1×1017atoms/cm3以上ドープして育成されることを特徴とするエピタキシヤルウェーハ用に適したシリコン単結晶である。(2) 上記シリコン単結晶から切り出して作製されるシリコンウェーハと、このウェーハの表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャルウェーハである。このエピタキシャルウェーハは、エピタキシャル成長処理ののち1100°C以上の温度を含むデバイスプロセスに適用する場合に、酸素濃度が12×1017atoms/cm3以上にすること、さらに、窒素をドープして育成されたシリコン単結晶から切り出され、1000°C以上の熱処理後に断面にて1×104個/cm2以上の欠陥を発生するようにするのが望ましく、エピタキシャル成長前で1000°C以上の熱処理を施した場合に5×104個/cm2以上の欠陥が発生するウェーハを用いることが望ましい。
請求項（抜粋）：
窒素を1×1012atoms/cm3以上、かつ炭素を0.1〜5×1016atoms/cm3ドープして育成されることを特徴とするエピタキシヤルウェーハ用に適したシリコン単結晶。
IPC (3件)：
C30B 29/06 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/208
FI (3件)：
C30B 29/06 A ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/208 P
Fターム (14件)：
4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077FC04 ,  4G077GA01 ,  5F053AA12 ,  5F053DD01 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053KK03 ,  5F053KK10 ,  5F053PP08 ,  5F053PP12 ,  5F053RR03 ,  5F053RR20
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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