特許
J-GLOBAL ID:200903025564619807

圧電磁器組成物の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-258107
公開番号(公開出願番号):特開2003-063866
出願日: 2001年08月28日
公開日(公表日): 2003年03月05日
要約:
【要約】【課題】 比誘電率の温度変動が小さく、アクチュエータ特性の温度依存性が安定し、かつ、低温焼結が可能で、コストが低い圧電磁器組成物の製造方法を提供する。【解決手段】 式PbTiO3-PbZrO3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3で表記され、PbTiO3が35mol%〜55mol%、PbZrO3が15mol%〜55mol%、Pb(Ni1/3Nb2/3)O3が0〜40mol%(0を含まず)の組成に、MnOで表される酸化物に換算して、0〜0.10wt%(0を含まず)含有する圧電磁器組成物の製造方法において、比表面積値が5m2/g以上である粉末を用いる。
請求項(抜粋):
式PbTiO3-PbZrO3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3で表記され、PbTiO3が35mol%〜55mol%、PbZrO3が15mol%〜55mol%、Pb(Ni1/3Nb2/3)O3が0〜40mol%(0を含まず)の組成に、MnOで表される酸化物に換算して、0〜0.10wt%(0を含まず)含有する圧電磁器組成物の製造方法であって、比表面積値が5m2/g以上である粉末を用いたことを特徴とする圧電磁器組成物の製造方法。
IPC (3件):
C04B 35/49 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/24
FI (3件):
C04B 35/49 T ,  H01L 41/18 101 F ,  H01L 41/22 A
Fターム (14件):
4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA14 ,  4G031AA17 ,  4G031AA18 ,  4G031AA19 ,  4G031AA23 ,  4G031AA26 ,  4G031AA32 ,  4G031BA10 ,  4G031GA01 ,  4G031GA04 ,  4G031GA11 ,  4G031GA19
引用特許:
審査官引用 (3件)

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