特許

J-GLOBAL ID：200903025609534280

強磁性トンネル接合素子の製造方法

発明者： 柘植 久尚
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-209292
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054814
出願日： 1997年08月04日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】 高品質のトンネルバリア層を制御良く形成することによって、磁気ヘッドや磁気メモリに必要な低抵抗値及び高電流密度の強磁性トンネル接合素子を得る。【解決手段】 (a)第1の強磁性層11、導電層12を真空中で連続形成し、(b)真空を破ることなく純酸素を導入し、導電層12の表面を自然酸化してトンネルバリア層13を形成し、(c)酸素を排気した後、第2の強磁性層14を成膜して基本構造を完成させる強磁性トンネル接合素子の製造方法。

請求項（抜粋）：

第1の強磁性層と第2の強磁性層の間にトンネルバリア層を挟んだ構造を持つ強磁性トンネル接合素子の製造方法において、金属又は半導体からなる導電層を成膜した後、真空中に酸素を導入し、該導電層表面を自然酸化してトンネルバリア層を形成する工程を含むことを特徴とする強磁性トンネル接合素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 41/20

FI (3件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 41/20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 磁気抵抗センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-319003   出願人：富士通株式会社
• 磁気抵抗素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-058877   出願人：権藤靖夫, 末澤慶孝, 高橋史明