特許
J-GLOBAL ID：200903025614502280
張り合わせ用シリコンウェーハおよび張り合わせ基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-125335
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315634
出願日： 1999年04月30日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：
【要約】【課題】 ボイドの少ない強固な張り合わせを行うことができる張り合わせ基板の製造方法を提供する。【解決手段】 2枚のシリコンウェーハ11,12をHF洗浄後、純水でリンス、SC1洗浄、水洗・乾燥する。HF洗浄により酸化膜が除去され、ウェーハ表面が疎水性となる。SC1洗浄時、表面層がエッチングされ、OH基で終端される。結果、ウェーハ表面ではSiOH結合の被覆率θが40%以上となる。室温での張り合わせ後、張り合わせ基板13をドライ酸素雰囲気で熱処理する。温度は1200〜1280°C、時間は60分とする。熱処理時、ウェーハ表面の40%以上ではSi原子がOH基で終端され、熱処理温度は1200〜1280°Cとなる。結果、ボイドの少ないウェーハ11,12同士の張り合わせとなる。
請求項（抜粋）：
鏡面研磨されたシリコンウェーハであって、SiOH結合の被覆率がそのシリコンウェーハの表面の40%以上である張り合わせ用シリコンウェーハ。
IPC (4件)：
H01L 21/02
, H01L 21/304 622
, H01L 21/304 647
, H01L 21/76
H01L 21/02 B
, H01L 21/304 622 W
, H01L 21/304 647 Z
, H01L 21/76 N
5F032AA06
, 5F032DA71
, 5F032DA74
