特許
J-GLOBAL ID：200903025623151849
高周波用容量可変素子の製造方法及び高周波用容量可変素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-058282
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260667
出願日： 1998年03月10日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】 セラミック基板上にも容易に形成でき、小型で、低電圧で容量変化が大きく、1GHz以上の周波数でもキャパシタ特性が劣化しない小型で、かつ低製造コストの高周波用容量可変素子の製造方法を提供すること。【解決手段】 下部電極2として低抵抗・非酸化性金属からなる膜を塗布熱分解法により形成し、下部電極2上に誘電体薄膜3を塗布熱分解法により形成し、誘電体薄膜3上に上部電極5として低抵抗・非酸化性金属の単層又は低抵抗・非酸化性金属/高融点金属/低抵抗・非酸化性金属からなる積層膜をスパッタリング法又は真空蒸着法により形成する高周波用容量可変素子の製造方法。
請求項（抜粋）：
下部電極として非酸化性金属からなる膜を塗布熱分解法により形成し、前記下部電極上に誘電体薄膜を塗布熱分解法により形成し、前記誘電体薄膜上に上部電極として低抵抗・非酸化性金属の単層又は低抵抗・非酸化性金属/高融点金属/非酸化性金属からなる積層膜をスパッタリング法又は真空蒸着法により形成することを特徴とする高周波用容量可変素子の製造方法。
引用特許：
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