特許

J-GLOBAL ID：200903025623900531

エッチング方法及び基板処理装置

発明者： 玉 置 直 樹 ,  佐 藤 裕 輔
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-245918
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077391
出願日： 1998年08月31日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】 所望のガスを用いて安全・高速で低コストのエッチングを実現するためのエッチング方法と基板処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】 ClF3ガスを用いてエッチングする際に、同時にNOガスを供給することにより、プラズマレス・低コストで高速なシリコン窒化物のエッチングおよびクリーニングを行うことができ、特に気相成長法によってシリコン窒化膜を成膜する薄膜形成装置のin-situ(その場)クリーニングに有効である。

請求項（抜粋）：

処理容器の内部にClF3 ガスと共にNOガスを供給し、前記処理容器の内部に載置される被処理基板の表面、または前記処理容器の内部に付着する生成物をエッチングすることを特徴とするエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/44 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

H01L 21/302 N ,  C23C 16/44 J ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/31 B

Fターム (81件)：

4K030DA01 ,  4K057DA01 ,  4K057DA20 ,  4K057DB06 ,  4K057DB08 ,  4K057DB20 ,  4K057DD07 ,  4K057DE01 ,  4K057DE06 ,  4K057DE20 ,  4K057DG06 ,  4K057DG12 ,  4K057DG14 ,  4K057DM01 ,  4K057DN10 ,  5F004AA13 ,  5F004AA15 ,  5F004AA16 ,  5F004BA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BA11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB19 ,  5F004BB29 ,  5F004BB30 ,  5F004BD07 ,  5F004CA01 ,  5F004CA09 ,  5F004DA00 ,  5F004DB01 ,  5F004DB07 ,  5F004DB08 ,  5F004DB10 ,  5F004DB12 ,  5F004DB15 ,  5F004DB17 ,  5F004DB18 ,  5F004FA01 ,  5F004FA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AB03 ,  5F045AB33 ,  5F045AB40 ,  5F045AC02 ,  5F045AC03 ,  5F045AC18 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AE02 ,  5F045AE03 ,  5F045AE05 ,  5F045AE07 ,  5F045AE09 ,  5F045AE11 ,  5F045AE13 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045BB03 ,  5F045BB08 ,  5F045BB15 ,  5F045DP01 ,  5F045DP02 ,  5F045DP03 ,  5F045DP13 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ03 ,  5F045DQ04 ,  5F045DQ05 ,  5F045EB06 ,  5F045EB12 ,  5F045EB15 ,  5F045EK02 ,  5F045EK03 ,  5F045EK07 ,  5F045HA12 ,  5F045HA13

引用特許：

審査官引用 (2件)

• クリーニングガス組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-059016   出願人：関東電化工業株式会社
• プラズマ処理方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-102943   出願人：株式会社日立製作所