現像処理装置およびその処理方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-112451
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303106
出願日： 1997年04月30日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】本発明は、リソグラフィ工程にて素子の回路パターンが焼き付けられた半導体ウェーハ上のフォトレジストを現像するための現像処理において、現像処理の精度を格段に向上できるようにすることを最も主要な特徴とする。【解決手段】たとえば、半導体ウェーハHWをスピンチャック12上に載置して低速回転させるとともに、洗浄液供給ノズル31の先端部31aより純水PWを吐出させる。これにより、フォトレジストの表面に、表面張力により数mm厚程度の純水膜PWFを形成する。この後、現像液供給ノズル21の先端部21aより現像液DHを霧状にして吐出させると同時に、半導体ウェーハHWを高速回転させて純水PWを徐々に振り切る。こうして、フォトレジストの表面に形成された純水膜PWFを、現像液DHにより数秒間にわたって置換させることで、吐出初期時の現像液DHの振る舞いを緩和させる構成となっている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に塗布されて、パターン露光されたフォトレジストの表面に液膜を形成するための液膜形成手段と、前記液膜を現像液により置換し、前記フォトレジストを現像させるための現像液供給手段とを具備したことを特徴とする現像処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/30 501

FI (2件)：

H01L 21/30 569 C , G03F 7/30 501

引用特許：

審査官引用 (6件)

基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-312123 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
特開昭63-084027
特開平3-278425

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