特許
J-GLOBAL ID：200903025629447774

レーザーダイオード

発明者：
岡田 常義

岡田 常義 について

, 
西川 嘉昭

西川 嘉昭 について


出願人/特許権者：
ポリプラスチックス株式会社

ポリプラスチックス株式会社 について


代理人 (1件)： 石田 喜樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-080407
公開番号（公開出願番号）：特開平6-295459
出願日： 1993年04月07日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：
【要約】【構成】半導体レーザーチップ(3) を搭載するステム(2) を絶縁性の高い合成樹脂で形成し、チップ接続端子(5) と外部接続端子(6a)の各対応する端子間を、金属メッキによりステム表面に形成した導電性パターン(4a),(4b) で電気的に接続して成る。【効果】ピックアップ部が軽量化されるため、動作系の応答性能を向上させることができる。しかも、外部端子を平面状に形成し、ピンレス構造にすれば、更に軽量化を図ることができる。
請求項（抜粋）：
半導体レーザーチップ搭載用のステムを絶縁性の高い合成樹脂で形成し、そのステムにおける半導体レーザーチップ搭載面にチップ接続端子を複数設定するとともに、半導体レーザーチップ搭載面以外の表面に複数の外部接続端子を設定し、それらチップ接続端子と外部接続端子の各対応する端子間を、金属メッキによりステム表面に形成した導電性パターンで電気的に接続して成るレーザーダイオード。
IPC (2件)：
G11B 7/125 ,  H01S 3/18
引用特許：
審査官引用 (4件)
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