特許
J-GLOBAL ID：200903025638385480
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-210843
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035172
出願日： 1999年07月26日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】【課題】 書き込み動作や消去動作に伴い書き込み検証動作や消去検証動作が行われる不揮発性半導体記憶装置において、検証結果としての書き込みや消去時の不良セルのアドレスの特定を高速化することを目的とする。【解決手段】 複数のメモリセル101Cを有する不揮発性半導体記憶装置において、前記ワード線WLの選択に応じてメモリセル101Cに一度に書き込まれる或いは消去されるデータをN個(Nは所要の自然数)に分割して格納するバッファ回路群102と、その分割されたN個の単位毎に書き込みデータを検証しその検証結果を外部に出力する回路103〜107を有する。データを分割して出力できるため、書き込みや消去が十分に行われなかった不良セルの特定をN分の1の範囲の調査で行うことができる。
請求項（抜粋）：
ワード線の選択に応じて複数のメモリセルに一度に書き込まれるデータをN個(Nは所要の自然数)に分割して格納するバッファ群と、その分割されたN個の単位毎に該メモリセルが適正に書き込まれたか否かを検証しその検証結果を外部に出力する回路とを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 601 T
, G01R 31/28 B
2G032AA08
, 5B025AD04
, 5B025AD16
, 5B025AE05
, 5B025AE09
, 9A001BB03
