光起電力装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮園博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-323954
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093631
出願日： 2003年09月17日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：

【課題】出力特性を向上させることが可能な光起電力装置を提供する。【解決手段】この光起電力装置は、n型のa-Siからなるn型層3a、ノンドープのa-SiGeからなる光電変換層3b、p型のa-SiCからなるp型層3cを含む下部発電ユニット3と、下部発電ユニット3上に積層され、n型のa-Siからなるn型層5a、ノンドープのa-Siからなる光電変換層5b、p型のa-SiCからなるp型層5cを含む上部発電ユニット5と、下部発電ユニット3と上部発電ユニット5との接合部に、下部発電ユニット3の表面が部分的に露出するように形成され、接合部の抵抗を低減するための金属層4とを備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1非単結晶半導体層と、前記第1非単結晶半導体層上に形成され、光電変換層として機能する実質的に真性な第2非単結晶半導体層と、前記第2非単結晶半導体層上に形成された第2導電型の第3非単結晶半導体層とをそれぞれ含む積層された第1発電ユニットおよび第2発電ユニットと、前記第1発電ユニットと前記第2発電ユニットとの接合部に、下部側の前記第1発電ユニットの表面が部分的に露出するように形成され、前記接合部の抵抗を低減するための導電層とを備えた、光起電力装置。

IPC (1件)：

H01L31/04

FI (2件)：

H01L31/04 M , H01L31/04 W

Fターム (14件)：

5F051AA05 , 5F051CA02 , 5F051CA03 , 5F051CA04 , 5F051CA16 , 5F051DA04 , 5F051DA17 , 5F051DA18 , 5F051FA02 , 5F051FA03 , 5F051FA04 , 5F051FA06 , 5F051FA13 , 5F051GA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開昭61-91974号公報

審査官引用 (5件)

特開平2-237142
太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-314040 出願人：三菱重工業株式会社
特開昭58-162073

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