静電気保護回路のトランジスタ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-346144
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186296
出願日： 1996年12月25日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】本発明は、静電気保護回路でESD電圧印加の際に発生する接合漏洩電流を防止し、ESD特性を向上させることができる半導体素子の静電気保護回路のトランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体素子の静電気保護回路のトランジスタは基板上に形成されたウェルと、ウェルの内部に形成された素子分離絶縁膜と、素子分離絶縁膜の両側に形成された低濃度不純物領域と、LDD低濃度不純物領域の内部に形成された第1高濃度不純物領域と、LDD低濃度不純物領域の内部に形成された第2高濃度不純物領域と、素子分離絶縁膜及びLDD低濃度不純物領域の上部に形成された絶縁膜と、低濃度不純物領域及び絶縁膜の上部に形成された金属ゲート電極を備え、第1高濃度不純物領域と第2高濃度不純物領域中に、少なくとも1領域が動作領域エッジから内部に重畳配置されることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたウェルと、前記ウェルの内部に形成された素子分離絶縁膜と、前記素子分離絶縁膜の両側に形成された低濃度不純物領域と、前記低濃度不純物領域の一方の内部に形成された第1高濃度不純物領域と、前記低濃度不純物領域の他方の内部に形成された第2高濃度不純物領域と、前記素子分離絶縁膜及びLDD低濃度不純物領域の上部に形成された絶縁膜と、前記低濃度不純物領域及び絶縁膜の上部に形成された金属ゲート電極を備え、前記第1高濃度不純物領域と第2高濃度不純物領域中、少なくとも1領域が動作領域エッジから内部に重畳配置されることを特徴とする静電気保護回路のトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 27/06 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/06 311 A , H01L 27/04 H

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体保護回路及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-230678 出願人：株式会社東芝
特開平3-101269
特開平2-177366

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