特許

J-GLOBAL ID：200903025724157368

熱処理装置およびこれを用いた熱処理方法並びに半導体装置の製造方法

発明者： 南 眞嗣 ,  桂田 育男
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  大宮化成株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-058186
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261102
出願日： 2001年03月02日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】 ライフタイムが向上し、膜剥がれが抑制される熱処理装置とこれを用いた熱処理方法を提供する。【解決手段】 熱処理装置の噴出し部3には、ヴィンセントバックカーブの噴出し口形状を有する複数の噴出し口2が設けられている。噴出し部3には酸素配管、空気配管、アルゴン配管が接続されている。反応管17内に送り込まれたウェハ10は、昇温され所定の温度のもとで熱処理が施される。その後、降温の際に所定の温度にまで降温した段階で噴出し部3から酸素を含む冷却ガスが反応管17内に導入されて、ウェハ10がさらに降温される。

請求項（抜粋）：

処理室内に導入された半導体基板に熱処理を施すための熱処理装置であって、冷却ガスを乱流の状態で前記半導体基板に噴きつけるための噴出し口を備えた、熱処理装置。

IPC (6件)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/22 511 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (11件)：

H01L 21/324 R ,  H01L 21/324 T ,  H01L 21/324 W ,  H01L 21/324 X ,  H01L 21/22 511 S ,  H01L 21/22 511 A ,  H01L 21/31 E ,  H01L 21/316 S ,  H01L 21/26 F ,  H01L 21/26 G ,  H01L 21/26 T

Fターム (16件)：

5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045AD07 ,  5F045AD12 ,  5F045BB16 ,  5F045BB17 ,  5F045DP19 ,  5F045EF01 ,  5F045EF05 ,  5F058BA10 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF62 ,  5F058BJ01

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平4-005822
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-301081   出願人：株式会社エフティーエル
• 半導体ウェハ熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-355815   出願人：株式会社半導体先端テクノロジーズ

審査官引用 (3件)

• 特開平4-005822
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-301081   出願人：株式会社エフティーエル
• 半導体ウェハ熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-355815   出願人：株式会社半導体先端テクノロジーズ