特許

J-GLOBAL ID：200903025738658432

磁気メモリおよびその記録方法

発明者： 林 秀和 ,  南方 量二 ,  道嶋 正司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-090495
公開番号（公開出願番号）：特開2001-273760
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】 垂直磁化膜を用いた巨大磁気抵抗効果素子およびトンネル磁気抵抗効果素子を用いた磁気メモリにおいて、該素子の片側あるいは両側に電流線を配置すると、素子の高集積化が困難である。【解決手段】 電流線12、16の上部あるいは下部に高透磁率材料からなる層11、17を設け、最隣接の素子の上下部に配置している電流線によりクロスポイントの素子へ記録を行う。

請求項（抜粋）：

少なくとも第1の磁性層、非磁性層、第2の磁性層から構成され、前記第1および第2の磁性層が垂直磁気異方性を有する磁気抵抗効果素子を用いた磁気メモリであって、前記磁気抵抗効果素子に情報を記録するための電流線に高透磁率材料からなる層を積層し、前記電流線を前記磁気抵抗効果素子の上下平面に配置したことを特徴とする磁気メモリ。

IPC (3件)：

G11C 11/15 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

G11C 11/15 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 43/08 Z

Fターム (4件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 積層メモリ・セルを有する磁気ランダム・アクセス・メモリおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-231784   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
• 磁性薄膜メモリ素子およびその記録再生方法、画像録画再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-096117   出願人：キヤノン株式会社

審査官引用 (2件)

• 積層メモリ・セルを有する磁気ランダム・アクセス・メモリおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-231784   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
• 磁性薄膜メモリ素子およびその記録再生方法、画像録画再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-096117   出願人：キヤノン株式会社