特許
J-GLOBAL ID：200903025749063023
半導体装置用基板及びその製造方法並びに半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-386217
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150417
出願日： 2003年11月17日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：
【課題】微細なフリップ接合方式に適した極薄の半導体装置用基板及びその製造方法並びに半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】半導体装置用基板100は、絶縁層42及び絶縁層44からなる基板40の一方の面に第1の金属めっき層12と第2の金属めっき層13からなる半導体実装パッド20が、他方の面にソルダーレジストパターン51及びはんだボール用パッド22aが形成されたもので、第1の金属めっき層12は、0.2〜1.5μmの膜厚の金もしくはパラジウム皮膜からなり、第2の金属めっき層13は、5〜15μm膜厚の錫、錫銀合金、錫ビスマス合金、錫亜鉛合金、錫鉛合金からなる群から選ばれた少なくとも1種の金属もしくは合金皮膜からなる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板の一方の面に半導体実装パッドが、他方の面にはんだボール用パッドが形成されてなる半導体装置用基板であって、前記半導体実装パッドが、表面から順に、第1の金属めっき層及び第2の金属めっき層で構成されていることを特徴とする半導体装置用基板。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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