特許
J-GLOBAL ID：200903025750190250
半導体装置の製造方法および半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-079597
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268565
出願日： 2004年03月19日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：
【課題】 硬化性液状シリコーン組成物で半導体装置を樹脂封止する際、ボイドの混入がなく、半導体チップや回路基板の反りが小さい半導体装置を、短時間で、成形性よく製造する方法、およびこのような半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置を金型中に載置して、該金型と該半導体装置との間に供給した硬化性液状シリコーン組成物を所定の成形温度で圧縮成形することによりシリコーン硬化物で封止した半導体装置を製造する方法であって、前記硬化性液状シリコーン組成物が、室温で90Pa・s以下の粘度を有し、キュラストメーターで測定した、前記成形温度における測定直後から1kgf・cmのトルクに達するまでの時間が1分以上であり、かつ1kgf・cmのトルクから5kgf・cmのトルクに達するまでの時間が1分以内であることを特徴とする半導体の製造方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体装置を金型中に載置して、該金型と該半導体装置との間に供給した硬化性液状シリコーン組成物を所定の成形温度で圧縮成形することによりシリコーン硬化物で封止した半導体装置を製造する方法であって、前記硬化性液状シリコーン組成物が、室温で90Pa・s以下の粘度を有し、キュラストメーターで測定した、前記成形温度における測定直後から1kgf・cmのトルクに達するまでの時間が1分以上であり、かつ1kgf・cmのトルクから5kgf・cmのトルクに達するまでの時間が1分以内であることを特徴とする半導体の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F061AA01
, 5F061BA03
, 5F061CA21
, 5F061CB02
, 5F061DA01
, 5F061EA01
出願人引用 (3件)
審査官引用 (5件)
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