特許
J-GLOBAL ID：200903025755322774
CVD装置およびそのクリーニング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
吉岡 宏嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-000217
公開番号（公開出願番号）：特開2003-203907
出願日： 2002年01月07日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：
【要約】【課題】 反応室内壁面に堆積するTi酸化物、Zr酸化物、Hf酸化物、または、これらの複合膜を効率的に除去できるCVD装置およびそのクリーニング方法を提供する。【解決手段】 クリーニングガス供給部32で、Cl2、BCl3、HCl、ClF3、ClF等の塩素を含む塩素系ガスを活性化して反応室1内に導入して化学反応で堆積膜をガス化させて除去する。これにより、反応室1の内壁面2の堆積膜を効率的に除去することで、ウエハ付着異物が低減できるため、装置停止時間が短縮でき装置稼働率が向上する。
請求項（抜粋）：
反応室内のウエハ基板に、Ti(チタン)酸化物、Zr(ジルコニウム)酸化物、もしくはHf(ハフニウム)酸化物からなる金属酸化膜、または、これらの酸化物の2種以上を含む複合金属酸化膜を形成するCVD装置のクリーニング方法において、前記反応室の内部に堆積した前記金属酸化膜または前記複合金属酸化膜に、フッ素を含まないで塩素原子を含む塩素系ガスを接触させることにより、該金属酸化膜または該複合金属酸化膜をエッチングして反応室内を清浄にすることを特徴とするCVD装置のクリーニング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/31 C
, C23C 16/44 J
4K030BA10
, 4K030BA22
, 4K030BA42
, 4K030BA46
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 5F045AB31
, 5F045AC03
, 5F045AC16
, 5F045BB15
, 5F045EB06
, 5F045EE06
, 5F045EE13
, 5F045EF05
, 5F045EH14
, 5F045EM10
