特許

J-GLOBAL ID：200903025783415796

磁性多層膜ドットを用いた高周波デバイス

発明者： 能崎 幸雄 ,  松山 公秀
出願人/特許権者： 国立大学法人九州大学
代理人 (1件)： 西浦 ▲嗣▼晴
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2006314663
公開番号（公開出願番号）：WO2007-032149
出願日： 2006年07月25日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：

磁性多層膜ドットを用いた従来に無い各種の高周波デバイスを提供する。磁性多層膜ドット1として、磁性層3と非磁性層5とが交互に積層されて構成された高周波素子を用いる。磁性多層膜ドット1を構成する複数の磁性層3は、すべて単磁区に磁化された状態で、磁性層3の磁化方向がすべて一致する平行状態と磁性層3の磁化方向が交互に異なる反平行状態とを安定して維持できる膜厚寸法、形状及び磁気特性をそれぞれ有している。磁性層3の磁化方向がすべて一致する平行状態にあるときの共鳴周波数と、磁性層3の磁化方向が交互に異なる反平行状態にあるときの共鳴周波数は異なる。磁化状態を変えることにより、磁性多層膜ドット1の共鳴周波数を変えれば、フィルタのフィルタ周波数を変える。

請求項（抜粋）：

伝送線路と、 複数の磁性層が非磁性層を間に介して積層されて構成され且つ前記伝送線路に対して配置される1以上の磁性多層膜ドットとを備え、 前記磁性多層膜ドットを構成する前記複数の磁性層は、すべて単磁区に磁化された状態において、前記複数の磁性層の磁化方向がすべて一致する平行状態と前記複数の磁性層の磁化方向が交互に異なる反平行状態とを安定して維持できる膜厚寸法、形状及び磁気特性をそれぞれ有しており、 前記複数の磁性層の積層方向が前記伝送線路を流れる電磁波の進行方向と直交する方向に向くように、前記1以上の磁性多層膜ドットが前記伝送線路に対して配置されており、前記磁性多層膜ドットの共鳴周波数と同じ周波数の電磁波が前記伝送線路を通過することが阻止されることを特徴とする磁性多層膜ドットを用いた高周波デバイス。

IPC (7件)：

H01P 1/218 ,  H01P 7/00 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08 ,  H01L 29/82 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105

FI (6件)：

H01P1/218 ,  H01P7/00 Z ,  H01F10/32 ,  H01L43/08 U ,  H01L29/82 Z ,  H01L27/10 447

Fターム (25件)：

4M119AA01 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC01 ,  4M119DD33 ,  4M119DD37 ,  4M119DD45 ,  4M119EE40 ,  5E049BA29 ,  5E049CB01 ,  5F092AA04 ,  5F092AB08 ,  5F092AB10 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD06 ,  5J006HB02 ,  5J006HB03 ,  5J006JA02 ,  5J006JA21 ,  5J006LA11 ,  5J006LA24 ,  5J006MA06 ,  5J006NA08

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 磁性体チューブ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-163135   出願人：日本電信電話株式会社
• 磁性薄膜インダクタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-049393   出願人：株式会社日立製作所, 日立マクセル株式会社
• 磁性薄膜を有する誘導性要素を含む物品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-214697   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
• 高周波デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-054150   出願人：コーア株式会社, 佐藤敏郎, 山沢清人