特許

J-GLOBAL ID：200903025785539530

半導体用研磨剤

発明者： 砂原 一夫 ,  次田 克幸
出願人/特許権者： セイミケミカル株式会社
代理人 (1件)： 小池 信夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-202973
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035818
出願日： 1999年07月16日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】 半導体デバイス製造のCMP工程においてエロージョンや、異なる材料の接触部分における研磨むら等を防ぎウエハー全体の平坦度を均一にする研磨剤を提供する。【解決手段】 アスペクト比1.5〜10の粒子を砥粒として全固形分重量の10重量%以上含有させた研磨剤を使用する。

請求項（抜粋）：

半導体デバイス製造工程における化学的機械研磨で使用する研磨剤であって、アスペクト比1.5〜10の砥粒を全固形分重量の10重量%以上含むことを特徴とする研磨剤。

IPC (6件)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  H01L 21/306 ,  C01F 17/00

FI (6件)：

H01L 21/304 622 D ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  C01F 17/00 A ,  H01L 21/306 M

Fターム (22件)：

3C058AA07 ,  3C058AC04 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA17 ,  4G076AA02 ,  4G076AB09 ,  4G076AC01 ,  4G076AC04 ,  4G076BA39 ,  4G076BA46 ,  4G076BC08 ,  4G076CA15 ,  4G076CA26 ,  4G076DA30 ,  5F043AA22 ,  5F043AA29 ,  5F043BB30 ,  5F043DD16 ,  5F043DD30 ,  5F043FF07 ,  5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-258768   出願人：日立化成工業株式会社
• 半導体ウェーハーの研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-012869   出願人：日産化学工業株式会社
• シリコンウェハーの研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-008560   出願人：エム・イー・エム・シー株式会社