特許
J-GLOBAL ID：200903060998327421
シリコンウェハーの研磨方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡邉 一平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-008560
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214338
出願日： 1998年01月20日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】 金属不純物によるシリコンウェハー表面の汚染を防止することができ、研磨後のシリコンウェハー表面の電気特性の向上に寄与することができるシリコンウェハーの研磨方法を提供する。【解決手段】 蒸留により精製した珪酸メチルを、メタノール溶媒中でアンモニア又はアンモニアとアンモニウム塩を触媒として水と反応させることにより得られるコロイダルシリカ粒子を用いる。このコロイダルシリカ粒子の長径/短径比が、1.4以上である。
請求項（抜粋）：
コロイダルシリカ粒子を主材とした研磨材を用いるシリコンウェハーの研磨方法であって、蒸留により精製した珪酸メチルを、メタノール溶媒中でアンモニア又はアンモニアとアンモニウム塩を触媒として水と反応させることにより得られるコロイダルシリカ粒子を用い、且つ該コロイダルシリカ粒子の長径/短径比が、1.4以上であることを特徴とするシリコンウェハーの研磨方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 622
, B24B 37/00
, C09K 3/14 550
H01L 21/304 622 B
, B24B 37/00 H
, C09K 3/14 550 D
