特許
J-GLOBAL ID：200903025822192058

クロス基板、半導体素子の実装方法、及び半導体装置

発明者：
中村 彰男

中村 彰男 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-357491
公開番号（公開出願番号）：特開2001-177003
出願日： 1999年12月16日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子を高密度に実装できるクロス基板、半導体素子の実装方法を提供する。【解決手段】 半導体素子12を回路形成面12aの素子側電極16とクロス基材30の導電性フィラメント20とを一対一で半田バンプ15で接続した後、溶融させたエポキシ系の樹脂により封止樹脂する。これにより、実装された半導体素子の12の素子側電極16が、クロス基板10aの配線である導電性フィラメント20a〜20fと電気的に接続した状態で、半導体素子12の回路形成面12a側がクロス基板30の封止樹脂11に封止された構成となる。
請求項（抜粋）：
互いに電気的に非接続となるように並列して配置された複数の導電性の糸状配線部材を少なくとも縦糸及び横糸の一方の1部として含む少なくとも1層のクロス部材を、前記糸状配線部材の1部領域を電極部として露出させて樹脂封止してなるクロス基板。
IPC (5件)：
H01L 23/12 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/14 ,  H01L 23/52 ,  H05K 1/03 610
FI (6件)：
H01L 21/60 311 S ,  H05K 1/03 610 T ,  H01L 23/12 N ,  H01L 23/12 L ,  H01L 23/14 R ,  H01L 23/52 D
Fターム (7件)：
5F044KK01 ,  5F044KK02 ,  5F044KK07 ,  5F044KK11 ,  5F044KK12 ,  5F044LL01 ,  5F044RR18
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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