特許

J-GLOBAL ID：200903025827477964

欠陥発生状態の監視方法およびその装置

発明者： 小原 健二 ,  高木 裕治 ,  渋谷 久恵
出願人/特許権者： 株式会社日立ハイテクノロジーズ
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-219051
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063708
出願日： 2002年07月29日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】製造装置の異常を早期に感知し、警告を発することによって不良作り込みを防止する。【解決手段】基板を順次処理して薄膜デバイスを形成する薄膜デバイスの製造工程において同一の検査工程にて時系列に得られた欠陥の前記基板面内での分布情報を解析する方法において、前記欠陥の基板面内での分布の局所的な粗密変動を判定基準として前記製造工程において異常が発生したことを判定するようにした。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基板を順次処理して薄膜デバイスを形成する薄膜デバイスの製造工程において欠陥の発生の状態を監視する方法であって、 薄膜デバイスの製造工程のうちの所定の処理工程で処理された薄膜デバイスを検査して該所定の処理工程で処理したことにより発生した前記薄膜デバイス上の欠陥の分布の情報を得、 該欠陥の分布の情報から前記薄膜デバイス上の着目領域を決め、 前記薄膜デバイスの前記所定の処理工程で順次処理された薄膜デバイスを検査して前記所定の処理工程で処理したことにより前記着目領域内に発生した欠陥の数あるいは密度の時間的推移を監視し、 前記着目領域内に発生した欠陥の数が所定の量を超えたときには警報を発することを特徴とする欠陥発生状態の監視方法。

IPC (1件)：

H01L21/66

FI (2件)：

H01L21/66 Z ,  H01L21/66 J

Fターム (5件)：

4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106CA42 ,  4M106DA15 ,  4M106DB21

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 欠陥警告方法及び欠陥警告システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-339180   出願人：株式会社東芝
• 欠陥解析方法および欠陥解析システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-036894   出願人：株式会社日立製作所