バンプ形成方法及びワイヤボンディング方法並びにバンプ構造及びワイヤボンディング構造

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早川政名
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-262536
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122562
出願日： 1993年10月20日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【目的】半導体チップの配線又は基板の外部リードと、その配線上面又は外部リード上面にボールボンディングしようとするバンプ形成用,ボンディング用ワイヤとが接合困難、若しくは所望の接合信頼性を得られない金属同士の組み合わせである場合において、ボールボンディング以外の工程,装置を必要とせず、且つ高い信頼性をもって双方を接合せしめる。【構成】Pd又はCuワイヤを用いてボールボンディング法により金属バンプを供給し、該金属バンプを圧潰せしめて電極a’を形成する。その電極a’上面に、ボールボンディング法により金属バンプbを供給してバンプ電極cを形成する。

請求項（抜粋）：

Pb-Sn又はSn-Ag又はAu又はPd又はCu又はAl-Mgからなるワイヤを用いてボールボンディング法により金属バンプを形成し、該金属バンプを電極として使用することを特徴とするバンプ形成方法。

FI (2件)：

H01L 21/92 C , H01L 21/92 F

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-187228
半田バンプの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-336846 出願人：株式会社富士通ゼネラル
特開平4-326534

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