特許
J-GLOBAL ID：200903025858657944
放射性元素によって汚染された放射性グラファイトを液体媒体内において放射性グラファイトを微粉化することによって処理するための方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
, 青山 正和
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-550909
公開番号（公開出願番号）：特表2005-512072
出願日： 2002年12月10日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：
本発明は、放射性元素によって汚染された放射性グラファイトの処理方法に関するものであって、本発明による方法においては、放射性グラファイトを、電気抵抗性を有した液体媒体内に浸漬し、高電圧パルスを放射性グラファイトに対して印加することにより、高電圧パルスが有しているエネルギーによって、電気アークを発生させ、この電気アークがグラファイトに対して作用することによって、グラファイトを構成している炭素-炭素結合を破壊し、これにより、放射性グラファイトの粉砕を行い、高電圧パルスの数を、所定の粒子サイズを有したグラファイト粒子が得られるようなものとして設定する。
請求項（抜粋）：
放射性元素によって汚染された放射性グラファイトの処理方法であって、
前記放射性グラファイトを、電気抵抗性を有した液体媒体内に浸漬し、
高電圧パルスを前記放射性グラファイトに対して印加することにより、前記高電圧パルスが有しているエネルギーによって、電気アークを発生させ、
この電気アークが前記グラファイトに対して作用することによって、前記グラファイトを構成している炭素-炭素結合を破壊し、これにより、前記放射性グラファイトの粉砕を行い、
前記高電圧パルスの数を、所定の粒子サイズを有したグラファイト粒子が得られるようなものとして設定する、
ことを特徴とする処理方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G21F9/30 531M
, B02C19/18 Z
