特許
J-GLOBAL ID：200903025866464055
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-036441
公開番号（公開出願番号）：特開2005-228929
出願日： 2004年02月13日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：
【課題】 最終的な接合時に第3の金属体が自由に動くことに起因する半導体素子の動作不良の発生と、半導体装置の寿命の低下を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体素子1a、1bと対向する第1の領域11だけでなく、半導体素子1a、1bと対向していない第2の領域12とを有する第3の金属体6を用いる。そして、第1の金属体3、第1の接合材8、半導体素子1、第2の接合材9、第3の金属体6、第3の接合材10、第2の金属体5を積層した状態とする。このとき、第1の金属体3と第3の金属体6の間であって、第3の金属体6の第2の領域12を保持するように、第1の保持治具(スペーサ)21を配置する。そして、この第1の保持治具21が配置された状態で、全体を加熱し、圧力を加えることで、これら全体の最終的な接合を行う。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体素子(1)と、前記半導体素子(1)の裏面(2)側に設けられ電極と放熱体とを兼ねる第1の金属体(3)と、前記半導体素子(1)の表面(4)側に設けられ電極と放熱体とを兼ねる第2の金属体(5)と、前記半導体素子(1)の表面(4)と前記第2の金属体(5)との間に設けられた第3の金属体(6)と、前記半導体素子(1)、前記第1の金属体(3)、前記第2の金属体(5)、前記第3の金属体(6)を封止するモールド樹脂(7)とを備えた半導体装置の製造方法において、
前記第1の金属体(3)、第1の接合材(8)、前記半導体素子(1)、第2の接合材(9)、前記第3の金属体(6)、第3の接合材(10)および前記第2の金属体(5)を用意する工程と、
前記第1の金属体(3)、第1の接合材(8)、前記半導体素子(1)、第2の接合材(9)、前記第3の金属体(6)、第3の接合材(10)および前記第2の金属体(5)を順に積層した状態とし、かつ、前記第1の金属体(3)と前記第2の金属体(5)との間であって、前記半導体素子(1)が配置された領域を除く領域に、前記第1の金属体(3)と前記第3の金属体(6)とを保持する保持治具(21)を配置する工程と、
前記保持治具(21)を配置した状態で、前記積層された状態の前記第1の金属体(3)、前記第1の接合材(8)、前記半導体素子(1)、前記第2の接合材(9)、前記第3の金属体(6)、前記第3の接合材(10)および前記第2の金属体(5)に対して、加熱処理を施すことにより、前記第1の金属体(3)と前記半導体素子(1)、前記半導体素子(1)と前記第3の金属体(6)、前記第3の金属体(6)と前記第2の金属体(5)を、それぞれ接合する工程と、
前記半導体素子(1)、前記第1の金属体(3)、前記第2の金属体(5)、前記第3の金属体(6)をモールド樹脂(7)で封止する工程とを有し、
前記第3の金属体(6)を用意する工程では、前記半導体素子(1)と接合される接合予定領域(11)と異なる領域(12、12a、14)に、前記保持治具(21)によって保持される被保持部(12、12a、14)を備える前記第3の金属体(6)を用意することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L23/29
, H01L25/04
, H01L25/18
H01L23/36 A
, H01L25/04 Z
5F036AA01
, 5F036BA23
, 5F036BB01
, 5F036BD01
, 5F036BE01
, 5F036BE06
出願人引用 (1件)
-
半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-333119
出願人：株式会社デンソー
審査官引用 (2件)
前のページに戻る
