特許

J-GLOBAL ID：200903025877978140

撥水性多孔質シリカ膜の製造方法、該方法によって得られた撥水性多孔質シリカ膜およびその用途

発明者： 田 中 博 文 ,  高 村 一 夫 ,  大 池 俊 輔 ,  窪 田 武 司 ,  村 上 雅 美
出願人/特許権者： 三井化学株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 俊一郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-077109
公開番号（公開出願番号）：特開2003-268356
出願日： 2002年03月19日
公開日（公表日）： 2003年09月25日
要約：

【要約】【解決手段】本発明に係る撥水性多孔質シリカ膜の製造方法は、一般式:Si(CH3)nH4-n(n=1〜4)で表されるメチルシラン類、および/または、一般式:Si(CH3O)nH4-n(n=1〜4)で表されるメトキシシラン類、を用いて、放電分解法、または、UV光照射による光CVD法により、ほぼ均一な細孔径を有する多孔質シリカ膜を撥水処理することを特徴とする。【効果】本発明の撥水性多孔質シリカ膜の製造方法によれば、光機能材料や電子機能材料に応用可能なほぼ均一な細孔径を有し、400°C以上のプロセス温度にも撥水性を維持することができ、膜強度が向上し、さらに誘電率が低減された撥水性多孔質シリカ膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：

一般式:Si(CH3)nH4-n(n=1〜4)で表されるメチルシラン類、および/または、一般式:Si(CH3O)nH4-n(n=1〜4)で表されるメトキシシラン類、を用いて、放電分解法により、ほぼ均一な細孔径を有する多孔質シリカ膜を撥水処理することを特徴とする撥水性多孔質シリカ膜の製造方法。

IPC (3件)：

C09K 3/18 104 ,  C01B 33/12 ,  H01L 21/312

FI (3件)：

C09K 3/18 104 ,  C01B 33/12 D ,  H01L 21/312 C

Fターム (16件)：

4G072AA25 ,  4G072BB09 ,  4G072BB15 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH14 ,  4G072HH29 ,  4G072HH30 ,  4G072QQ06 ,  4H020BA31 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF05 ,  5F058BF07 ,  5F058BH17 ,  5F058BH20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 低誘電率多孔質シリカ質膜、半導体装置およびコーティング組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-259531   出願人：クラリアントジャパン株式会社
• 多孔質SOG膜の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-045276   出願人：株式会社アルバック
• 撥水性多孔質シリカ、その製造方法および用途
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-126376   出願人：三井化学株式会社