特許
J-GLOBAL ID：200903083687871691

多孔質SOG膜の作製方法

発明者：
村上 裕彦

村上 裕彦 について

, 
田中 千晶

田中 千晶 について

, 
平川 正明

平川 正明 について


出願人/特許権者：
株式会社アルバック

株式会社アルバック について


代理人 (1件)： 北村 欣一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-045276
公開番号（公開出願番号）：特開2001-351911
出願日： 2001年02月21日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：
【要約】【課題】 低比誘電率の層間絶縁膜であって、この膜形成後のCVDプロセスなどによりその上にさらに膜を積層させても、比誘電率が変化しない多孔質SOG膜の作製方法の提供。【解決手段】 有機シランと、水と、アルコールとを含む有機シラン液を用い、該有機シランを酸加水分解またはアルカリ加水分解に付し、界面活性剤の存在下で加熱処理することにより多孔質SiO2膜を得る。
請求項（抜粋）：
有機シランと、水と、アルコールとを含む有機シラン液を用い、該有機シランを酸加水分解またはアルカリ加水分解に付し、界面活性剤の存在下で加熱処理することにより多孔質SiO2膜を得ることを特徴とする多孔質SOG膜の作製方法。
IPC (5件)：
H01L 21/316 ,  C01B 33/12 ,  C09D 1/00 ,  C23C 18/12 ,  H01L 21/768
FI (5件)：
H01L 21/316 G ,  C01B 33/12 C ,  C09D 1/00 ,  C23C 18/12 ,  H01L 21/90 Q
Fターム (39件)：
4G072AA25 ,  4G072BB09 ,  4G072BB15 ,  4G072HH28 ,  4G072JJ11 ,  4G072JJ38 ,  4G072KK01 ,  4G072KK03 ,  4G072KK15 ,  4G072LL06 ,  4G072LL11 ,  4G072MM01 ,  4G072NN21 ,  4G072RR05 ,  4G072RR12 ,  4G072UU01 ,  4J038AA011 ,  4J038HA441 ,  4J038JC32 ,  4J038PB09 ,  4K022AA05 ,  4K022BA15 ,  4K022BA20 ,  4K022BA33 ,  4K022DA06 ,  4K022DB01 ,  4K022DB28 ,  5F033RR04 ,  5F033RR09 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033SS22 ,  5F033XX27 ,  5F058BA20 ,  5F058BB10 ,  5F058BC05 ,  5F058BC20 ,  5F058BF46 ,  5F058BJ02
引用特許：
審査官引用 (6件)
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