特許
J-GLOBAL ID：200903025885534897

半導体装置の製造方法

発明者：
佐藤 功太

佐藤 功太 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-166976
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012728
出願日： 1996年06月27日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【課題】 下地のパターンに疎の部分と密の部分とが混在する有機SOG膜では、配線上に形成されたSOG膜の膜厚が異なるため、その形状に反映した段差箇所が生じ、充分な平坦性が得られないという問題がある。【解決手段】 層間絶縁膜である有機SOG膜5上に、メタル配線3が形成された領域を開口したレジストパターン6を形成後、該レジストパターン6をマスクに、有機SOG膜5表面に酸素プラズマを照射し、該表面の膜質を改質することによって、有機SOG膜の改質部分7と非改質部分5とのエッチング速度を変え、その後、ウエットエッチングにより、全面エッチングを行い、表面の平坦化を行う。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された層間絶縁膜に有機SOG膜を用いた、多層配線構造を有する半導体装置の製造方法において、基板表面に段差が形成された領域を開口したレジストパターンを、上記有機SOG膜上に形成する工程と、該レジストパターンをマスクに、上記有機SOG膜表面に酸素プラズマを照射し、該表面の膜質を改質する工程と、ウエットエッチングにより、全面エッチングを行い、少なくとも上記改質された有機SOG膜を除去し、上記層間絶縁膜の表面の平坦化を行うことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/31
FI (3件)：
H01L 21/90 P ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/95
引用特許：
審査官引用 (4件)
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