特許

J-GLOBAL ID：200903025891861921

スパッタリング用Ge-Bi合金ターゲット及びその製造方法

発明者： 清水 寿一 ,  伊藤 弘幸 ,  花岡 克成 ,  三浦 祐司
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社 ,  株式会社リコー
代理人 (1件)： 山本 正緒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-087920
公開番号（公開出願番号）：特開2003-277923
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2003年10月02日
要約：

【要約】【課題】 データの書き込み及び消去速度の速い相変化型光記録ディスクを作製するため、Ge-Bi層の形成に好適なスパッタリング用のGe-Bi合金ターゲット、及びその製造方法を提供する。【解決手段】 Ge-Bi合金溶湯を急冷して得た合金鋳塊を機械粉砕した合金粉末、又はGe-Bi合金溶湯からガスアトマイズ法により得た合金粉末を、ホットプレス法又は放電プラズマ焼結法によって焼結する。得られるGe-Bi合金ターゲットは、20〜80at%のBiと、残部のGe及び不可避不純物からなり、Geの結晶粒径が500μm以下で、相対密度が70%以上である。

請求項（抜粋）：

20〜80at%のBiと、残部のGe及び不可避不純物からなり、Geの結晶粒径が500μm以下であることを特徴とするスパッタリング用Ge-Bi合金ターゲット。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ,  B41M 5/26 ,  G11B 7/24 534 ,  G11B 7/26 531

FI (4件)：

C23C 14/34 A ,  G11B 7/24 534 J ,  G11B 7/26 531 ,  B41M 5/26 X

Fターム (15件)：

2H111EA04 ,  2H111EA23 ,  2H111FB05 ,  2H111FB10 ,  2H111FB30 ,  2H111GA03 ,  4K029BC07 ,  4K029BD00 ,  4K029DC04 ,  4K029DC09 ,  5D029LA13 ,  5D121AA04 ,  5D121EE03 ,  5D121EE11 ,  5D121EE14

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-104766
  
• Ge-Sb-Te系スパッタリング用ターゲット材の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-070009   出願人：山陽特殊製鋼株式会社
• 光記録膜作製用高純度ターゲツトおよびその製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-224566   出願人：同和鉱業株式会社
• 相変化型光情報記録媒体およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-149458   出願人：旭化成工業株式会社