特許

J-GLOBAL ID：200903025932468385

ZnO系化合物半導体、それを用いた発光素子及びそれらの製造方法

発明者： 小谷 泰司 ,  佐野 道宏 ,  加藤 裕幸 ,  小川 昭雄
出願人/特許権者： スタンレー電気株式会社
代理人 (2件)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-075081
公開番号（公開出願番号）：特開2007-251027
出願日： 2006年03月17日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：

【課題】 発光デバイスとして適した半導体発光素子を作製するため、活性化率と結晶性の双方を向上させるZnO系化合物半導体、それを用いた半導体発光素子及びそれらの製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に、n型不純物をドープしたn型ZnO系化合物半導体層を+c軸方向へ結晶成長させる。n型ZnO系化合物半導体層にアニール処理を施し、n型不純物の活性化率を向上させる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

(a)基板上方に、n型不純物をドープしたn型ZnO系化合物半導体層を+c軸方向へ結晶成長させる工程と、 (b)前記n型ZnO系化合物半導体層にアニール処理を施し、前記n型不純物の活性化率を向上させる工程と を含むZnO系化合物半導体の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 D

Fターム (7件)：

5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA41 ,  5F041CA73 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ZnSe基板上に成長した発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-281886   出願人：同和鉱業株式会社
• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-001240   出願人：スタンレー電気株式会社, 八百隆文