特許
J-GLOBAL ID：200903028942577726
ZnSe基板上に成長した発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸岡 政彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-281886
公開番号（公開出願番号）：特開平10-112556
出願日： 1996年10月03日
公開日（公表日）： 1998年04月28日
要約：
【要約】【課題】 素子劣化の原因となる電極部分での発熱の少ない、信頼性の高いZnSe系発光素子とその製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁性ZnSe基板1を溶融亜鉛中にて850°C以上の温度で90時間以上熱処理を行い、キャリアの活性化率を向上させキャリア密度1018cm-3以上のn型ZnSe厚膜エピタキシャル層とする。これをメカノケミカルエッチングにより平坦に加工したのち、分子線エピタキシャル法によりZnSe系化合物半導体を用いてpn接合を形成する。次に基板1の裏面に研磨および/またはエッチングを行って素子底部を除去し、ZnSe層2を露出させ、この露出部にn電極8を、素子上部のZnSe層にp電極9を形成して発光素子とする。
請求項（抜粋）：
ZnSe単結晶基板上にZnSe系化合物半導体層を積層することによりpn接合を有する発光素子を形成し、積層された面と対向する基板面を素子底部が露出するまで研磨およびエッチング、またはこれらのいずれかの方法を用いて除去し、露出された素子表面に正負いずれかの電極が形成されてなることを特徴とするZnSe系化合物半導体素子。
IPC (6件)：
H01L 33/00
, C01B 19/04
, C30B 29/48
, H01L 21/28 301
, H01L 21/308
, H01L 21/363
H01L 33/00 D
, C01B 19/04 C
, C30B 29/48
, H01L 21/28 301 R
, H01L 21/308 B
, H01L 21/363
