特許
J-GLOBAL ID：200903025946957613
不揮発性半導体メモリ装置の自動プログラム回路
出願人/特許権者：
三星電子株式会社
三星電子株式会社 について
代理人 (1件)： 高月 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-229850
公開番号（公開出願番号）：特開平8-096591
出願日： 1995年09月07日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【課題】 工程条件等の変化に左右されることなく均一のセルしきい値電圧を得られるプログラムを実行できる電気的プログラム可能な不揮発性半導体メモリを提供する。【解決手段】 プログラム検証を行う不揮発性メモリにプログラム電圧発生回路200を使用する。この回路200は、高電圧発生回路10によるプログラム電圧Vpgmをトリミング回路30で分圧し、該分圧電圧を比較回路40で基準電圧と比較してその比較結果により高電圧発生制御回路20が高電圧発生回路10を制御する。トリミング回路30は、トリミング信号TRMp1 ...に応じてトランジスタ33〜35が導通することで分圧値が変更されるようになっている。プログラム検証でプログラム失敗が判断されプログラムが繰り返される度にトリミング信号が順次発生され、これに応じて順次にトランジスタ33〜35が導通していくので、プログラム電圧は順次増加していく。
請求項（抜粋）：
多数のフローティングゲート形メモリセルからなるメモリセルアレイを有し、メモリセルを選択してプログラムするためのプログラム回路と、メモリセルのプログラム成功を判断するためのプログラム検証回路と、を備えた電気的プログラム可能な不揮発性半導体メモリ装置において、プログラム電圧を発生するための高電圧発生回路と、前記プログラム電圧を分圧して出力するトリミング回路と、このトリミング回路の出力と基準電圧とを比較してその比較結果を出力する比較回路と、この比較回路の出力に従って前記高電圧発生回路を動作制御する高電圧発生制御回路と、を有してなり、プログラム回数に応じて前記トリミング回路の分圧値が変わることで、発生されるプログラム電圧のレベルが変化するようになっているプログラム電圧発生回路を備えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。
FI (3件)：
引用特許：
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