特許
J-GLOBAL ID：200903025965326608
超格子半導体発光素子とその発光をオン・オフする方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-067893
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260723
出願日： 1996年03月25日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】【課題】 従来の発光ダイオードに比較して波長の短い光を発生することができる超格子半導体発光素子を提供する。【解決手段】 2つの電極間に、障壁層と量子井戸層とが交互に積層された超格子の真性半導体i層を挟設したpin型ダイオード素子を備え、第1の逆バイアス電圧又は第1のバイアス電圧を印加したときに、障壁層のX点の準位と当該障壁層の一方の側に隣接する量子井戸層のΓ点の準位とが共鳴して当該Γ点の電子が当該X点にトラップされ、かつ第2の逆バイアス電圧又は第2のバイアス電圧を印加したときに、当該X点の準位と当該障壁層の他方の側に隣接する量子井戸層の2次以上のΓ点の準位とが共鳴するように、各障壁層と各量子井戸層の厚さとを設定し、所定の逆バイアス電圧又はバイアス電圧を印加して、量子井戸層の2次以上のΓ点の準位に電子を注入して、当該電子を正孔と再結合させる。
請求項（抜粋）：
2つの電極間に、障壁層と量子井戸層とが交互に積層されてなる超格子構造を有する真性半導体i層を挟設してなるpin型ダイオード素子を備えた発光素子であって、所定の第1の逆バイアス電圧を上記2つの電極間に印加したときに、上記障壁層のX点の準位と当該障壁層の一方の側に隣接する量子井戸層のΓ点の準位とが互いに共鳴して当該Γ点の準位の電子が当該X点の準位にトラップされるように、かつ上記第1の逆バイアス電圧より高い所定の第2の逆バイアス電圧を上記2つの電極間に印加したときに、当該X点の準位と当該障壁層の他方の側に隣接する量子井戸層の2次以上のΓ点の準位とが、互いに共鳴するように、上記各障壁層の厚さと上記各量子井戸層の厚さとを設定し、上記2つの電極間に上記第2の逆バイアス電圧以上の逆バイアス電圧を印加することにより、上記量子井戸層の2次以上のΓ点の準位に電子を注入して、当該電子を当該量子井戸層の価電子帯の正孔と再結合させて発光させることを特徴とする超格子半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 A
, H01L 33/00 J
