特許
J-GLOBAL ID：200903025967580455
フォトマスクブランク
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-117327
公開番号（公開出願番号）：特開2007-292824
出願日： 2006年04月21日
公開日（公表日）： 2007年11月08日
要約：
【解決手段】 遷移金属とケイ素と窒素とを含有する材料で構成された単層、又は遷移金属とケイ素と窒素とを含有する材料で構成された層を1層以上含む多層で構成された遮光膜と、1又は2以上のクロム系材料膜とを有し、遷移金属とケイ素と窒素とを含有する材料のケイ素と遷移金属との比が、ケイ素:遷移元素=1:1〜4未満:1(原子比)であり、かつ窒素含有量が5原子%以上40原子%以下であるフォトマスクブランク。【効果】遷移金属含有率が高いことから導電性が確保され、フォトマスク製造プロセスでのチャージアップ防止の機能を有すると共に、フォトマスク製造プロセスにおける洗浄に対して十分な化学的安定性を確保でき、更に、この遮光膜が、これと共に設けられたクロム系材料膜をエッチングする条件である塩素と酸素を含有するドライエッチングに対し高いエッチング耐性を示し、高い微細加工精度が確保される。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
透明基板上に露光光に対して透明な領域と実効的に不透明な領域とを有するマスクパターンを設けたフォトマスクの素材となるフォトマスクブランクであって、
遷移金属とケイ素と窒素とを含有する材料で構成された単層、又は遷移金属とケイ素とを含有する材料で構成された層を1層以上含む多層で構成された遮光膜と、1又は2以上のクロム系材料膜とを有し、上記遷移金属とケイ素と窒素とを含有する材料のケイ素と遷移金属との比が、ケイ素:遷移元素=1:1〜4未満:1(原子比)であり、かつ窒素含有量が5原子%以上40原子%以下であることを特徴とするフォトマスクブランク。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
2H095BB03
, 2H095BC05
, 2H095BC24
, 4K029AA08
, 4K029AA24
, 4K029BA41
, 4K029BA52
, 4K029BA58
, 4K029BB02
, 4K029BC07
, 4K029BD00
, 4K029CA06
