フォトマスクブランク及びフォトマスク

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-263161
公開番号（公開出願番号）：特開2006-078807
出願日： 2004年09月10日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：

【課題】ArFエキシマレーザ用の高精度なフォトマスクブランクを提供する。【解決手段】透明基板上に露光光に対して透明な領域と実効的に不透明な領域とを有するマスクパターンを設けたフォトマスクの素材となるフォトマスクブランクであって、透明基板上に、他の膜を介して又は介さずに1層又は2層以上の遮光膜が形成され、前記遮光膜を構成する層の少なくとも1層が主成分としてケイ素と遷移金属とを含み、かつケイ素と遷移金属とのモル比がケイ素:金属=4〜15:1(原子比)であるフォトマスクブランク。【効果】高い遮光性と化学的安定性が確保された遮光膜を有するものとなり、反射防止膜を更に積層した場合にあっても、レジストを比較的薄く形成でき、これによってレジスト膜のアスペクト比を大きくすることによる諸問題を回避でき、より高精度のフォトマスクパターン形成が可能となる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

透明基板上に露光光に対して透明な領域と実効的に不透明な領域とを有するマスクパターンを設けたフォトマスクの素材となるフォトマスクブランクであって、透明基板上に、他の膜(A)を介して又は介さずに1層又は2層以上の遮光膜が形成され、前記遮光膜を構成する層の少なくとも1層(B)が主成分としてケイ素と遷移金属とを含み、かつケイ素と遷移金属とのモル比がケイ素:金属=4〜15:1(原子比)であることを特徴とするフォトマスクブランク。

IPC (2件)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (2件)：

G03F1/08 A , H01L21/30 502P

Fターム (7件)：

2H095BA06 , 2H095BB02 , 2H095BB03 , 2H095BB14 , 2H095BB25 , 2H095BC05 , 2H095BC14

引用特許：

出願人引用 (10件)

ハーフトーン型位相シフトマスクブランク、及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-400378 出願人：HOYA株式会社
位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにその位相シフトマスクを用いた露光方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-285327 出願人：アルバック成膜株式会社, 三菱電機株式会社
フォトマスクブランク、フォトマスク、及びそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-399790 出願人：HOYA株式会社

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審査官引用 (15件)

位相シフトマスクの製造方法、及び位相シフトマスクブランクの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-060925 出願人：ホーヤ株式会社
位相シフトマスクブランク、フォトマスクブランク、並びにそれらの製造装置及び製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-277260 出願人：ホーヤ株式会社
特開平4-246649

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