特許
J-GLOBAL ID：200903025977316314
基板処理装置および基板処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮本 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-289070
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111698
出願日： 1997年10月06日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】電極をダミー成膜で無駄に汚す、基板を無駄に捨てることなく、短時間に残渣を除去することが出来る基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】成膜槽51にエッチングガス(NF3 ガス)を導入しRF電力を供給し成膜槽51内をガスクリーニングする。ガスクリーニングが終了しクリーニングガスの排気を完了した後、工程1)...排気バルブ61を閉める。工程2)...成膜槽51内にSiH4 ガスを導入し、成膜槽51内圧力を所定の圧力まで昇圧する。工程3)...その後SiH4 ガスの導入を停止する。工程4)...その後排気バルブ61を開いて排気する。この工程1)〜工程4)の操作を数回繰り返す。還元性ガスのSiH4 ガスを成膜槽51に導入しある程度まで昇圧することで、ガスクリーニング時の残渣とSiH4 が反応、結合し、さらにその後の排気で成膜槽51から排気され、残渣を除去することが出来る。
請求項（抜粋）：
処理槽内のガスクリーニングを行った後、還元性ガスを用いて前記処理槽内を回分パージする機能を有することを特徴とする基板処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
H01L 21/302 N
, C23C 16/50
, C23F 4/00 E
, H01L 21/205
