特許
J-GLOBAL ID：200903049144925135

薄膜トランジスタ製造方法並びに製造装置

発明者：
大見 忠弘

大見 忠弘 について


出願人/特許権者：
大見 忠弘

大見 忠弘 について


代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-257146
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125185
出願日： 1994年10月21日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、ガラスまたはプラスチック基板上に高性能薄膜トランジスタを安定して作製可能な製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。【構成】 ガラス基板またはプラスチック基板上に薄膜トランジスタを作製する薄膜トランジスタ製造方法であって、薄膜トランジスタを構成する薄膜を形成する前に、前記基板を設置した空間に所定の温度に加熱した不活性ガスを導入し、前記基板と前記不活性ガスを接触させて基板表面の吸着物を除去することを特徴とする。さらに、前記不活性ガスの導入を所定の圧力になるまで行い、続いて300(l/sec)以上の排気速度で所定の圧力まで急激に排気するという操作を、繰り返し行うことが好ましい。
請求項（抜粋）：
ガラス基板またはプラスチック基板上に薄膜トランジスタを作製する薄膜トランジスタ製造方法であって、薄膜トランジスタを構成する薄膜を形成する前に、前記基板を設置した空間に所定の温度に加熱した不活性ガスを導入し、前記基板と前記不活性ガスを接触させて基板表面の不純物を除去することを特徴とする薄膜トランジスタ製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  C23C 14/02 ,  H01L 21/205
引用特許：
審査官引用 (21件)
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