SOI型半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-192883
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037312
出願日： 1994年07月25日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】【構成】 ?@絶縁膜3上に薄膜の半導体部分4(SOI層)が形成されたSOI型素子からそれぞれ成るNMOSトランジスタIとPMOSトランジスタIIとを備え、NMOSのゲート絶縁膜8を厚くするなどして、PMOSのゲート絶縁膜6と厚さを異ならしめる。?A半導体基板1(Si基板)に酸素のイオン注入を行って埋め込み絶縁膜3を形成し、薄い絶縁膜6を形成し、一方(PMOS等)をマスクして他方(NMOS等)に厚い絶縁膜8を形成し、その後各トランジスタ形成部I,IIにゲート電極12を形成する。【効果】不都合なく所望のしきい値電圧の制御が可能で、例えば完全空乏型SOIについてこれを保ったまま、また、PMOSトランジスタのしきい値電圧に影響を及ぼすことなくNMOSトランジスタのしきい値電圧を調節することが可能となる。

請求項（抜粋）：

絶縁膜上に薄膜の半導体部分が形成されたSOI型素子からそれぞれ成るNMOSトランジスタとPMOSトランジスタとを備えたSOI型半導体装置において、該NMOSトランジスタとPMOSトランジスタとのゲート絶縁膜の厚さを互いに異ならしめて形成したことを特徴とするSOI型半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H01L 21/265 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/08 331 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 613 A , H01L 21/265 J , H01L 27/08 321 C , H01L 29/78 617 S

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-271166
SOI基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-162306 出願人：ソニー株式会社
特開平4-249323

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