特許

J-GLOBAL ID：200903025992093429

堆積チャンバ及び低誘電性膜のための方法

発明者： リ シジアン ,  ワン ヤシン ,  レデカー フレッド シー. ,  石川 哲也 ,  コリンズ アラン ダブリュー.
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-152771
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064892
出願日： 1997年05月07日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【解決手段】 基板支持体(14)を収容するチャンバ(18)を規定するハウジング(4)を含む改善された堆積チャンバ(2)。酸素とSiF4の混合物は第一のノズル(34)のセットを通じて、そしてシランは第二のノズル(34a)のセットを通じて、チャンバ内の基板支持体の周縁部(40)の周りに送られる。シラン(又はシランとSiF4の混合物)及び酸素は、オリフィス(64,76)から一般に基板の中心部の上のチャンバ内へと別個に注入される。各々のガスについての最適の流速の使用と連動しているガスの均一な分散は、膜を横切っての均一な低い(3.4未満の)誘電率を結果としてもたらす。

請求項（抜粋）：

チャンバを規定するハウジング、該チャンバ内に基板支持体表面を有する基板支持体、該基板支持体表面の周りに、チャンバ内への第一の吹き出し開口部を有する第一のガス分配器、上記基板支持体表面から離れておりかつ該支持体表面の中央領域の上に一般に配置される第二の吹き出し口を有する第二のガス分配器、及び上記基板支持体表面の上の一般に中央部の位置に、上記減圧チャンバ内への第三の吹き出し開口部を有する酸素供給ガス分配器、を含む堆積チャンバ組立体。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44

FI (2件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/44 D

引用特許：

審査官引用 (5件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-167451   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-072017   出願人：キヤノン販売株式会社, アルキヤンテック株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所
• 特開平2-126632
  
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-303819   出願人：株式会社神戸製鋼所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-045920   出願人：富士通株式会社