光起電力素子の形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-247196
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092856
出願日： 1995年09月26日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】高い光電変換効率が得られ、かつ、高温高湿下における膜はがれが防止できるなどの特徴を有する光起電力素子の形成方法を提供する。【解決手段】支持体100上に反射層101と反射増加層102を積層してなる基板上に、シリコン原子を含有し、かつ、結晶構造が非単結晶であるn型103、i型104、及び、p型105の半導体層を積層してなるpin構造体が、基板上に、少なくとも1回以上繰り返し配設された光起電力素子の形成方法において、前記支持体と前記反射層の間に酸化亜鉛からなる中間層199を設け、前記中間層はAg,Ni,Fe,Cr,Cuから選択される少なくとも1つ以上の元素を含有し、かつ、前記反射層101が支持体温度200〜500°Cで堆積される工程αと、前記工程αの後に支持体温度を100°C以下に冷却する工程βと、前記工程βの後に前記反射増加層102が支持体温度200〜400°Cで堆積される工程γとを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

支持体上に反射層と反射増加層を積層してなる基板上に、シリコン原子を含有し、かつ、結晶構造が非単結晶であるn型、i型、及びp型の半導体層を積層してなるpin構造体が、基板上に、少なくとも1回以上繰り返し配設された光起電力素子の形成方法において、前記支持体と前記反射層の間に酸化亜鉛からなる中間層を設け、前記中間層はAg,Ni,Fe,Cr,Cuから選択される少なくとも1つ以上の元素を含有し、かつ、前記反射層が支持体温度200〜500°Cで堆積される工程αと、前記工程αの後に支持体温度を100°C以下に冷却する工程βと、前記工程βの後に前記反射増加層が支持体温度200〜400°Cで堆積される工程γとを有することを特徴とする光起電力素子の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 , H01L 21/203

FI (3件)：

H01L 31/04 W , H01L 21/203 S , H01L 31/04 F

引用特許：

審査官引用 (5件)

光起電力素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-020052 出願人：キヤノン株式会社
特開平4-133362
太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-158816 出願人：キヤノン株式会社

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