半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-167673
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012846
出願日： 1996年06月27日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】コンタクト孔部に形成するコンタクトパッドが他のコンタクトパッドから分離されこれらの間の短絡が全く発生しないようにする。【解決手段】半導体基板上に複数のゲート電極が並行配置に形成されその間の半導体基板の表面に拡散層を形成する工程と、ゲート電極の上面と側面に第1の絶縁膜を形成する工程と、第1の絶縁膜を被覆し拡散層に電気接続する導電体材を堆積させる工程と、導電体材を完全に被覆しその表面が平坦になっている充填絶縁膜を形成する工程と、充填絶縁膜をパターニングしこれをマスクにして導電体材をパターニングする工程と、第1の絶縁膜およびパターニングされた充填絶縁膜を被覆する第2の絶縁膜を堆積させ表面を平坦化する工程と、第1の絶縁膜、パターニングされた充填絶縁膜および第2の絶縁膜とで層間絶縁膜を形成する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面上にゲート酸化膜を介して複数のゲート電極が並行配置に形成され前記複数のゲート電極の間の前記半導体基板の表面に拡散層を形成する工程と、前記ゲート電極の上面と側面に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜を被覆し前記拡散層に電気接続する導電体材を堆積させる工程と、前記導電体材を完全に被覆する充填絶縁膜を形成する工程と、前記充填絶縁膜をパターニングし前記拡散層上部に位置する領域にパターニングされた充填絶縁膜を形成する工程と、前記パターニングされた充填絶縁膜をマスクにして前記導電体材をパターニングする工程と、前記第1の絶縁膜および前記パターニングされた充填絶縁膜を被覆する第2の絶縁膜を堆積させ表面を平坦化する工程と、前記第1の絶縁膜、前記パターニングされた充填絶縁膜および前記第2の絶縁膜とで層間絶縁膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/28

FI (3件)：

H01L 27/10 681 B , H01L 21/28 L , H01L 27/10 621 B

引用特許：

審査官引用 (6件)

微細配線の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-143880 出願人：日本電気株式会社
特開平4-356958
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-330994 出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド

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