特許
J-GLOBAL ID:200903026016397584
光電変換素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
森田 順之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-013386
公開番号(公開出願番号):特開2005-209446
出願日: 2004年01月21日
公開日(公表日): 2005年08月04日
要約:
【課題】 高い変換効率を有し、特に、電解質層として固体電解質を用いた場合に、液体電解質並みの高性能な素子が簡便な作製方法によって製造可能な光電変換素子を提供する。【解決手段】 少なくとも一方が透明な2枚の導電性基板と、当該導電性基板のうち片方の導電性基板の導電面上に設けられた増感剤により修飾された半導体層と、当該2枚の導電性基板の間に設けられた、少なくとも可逆な電気化学的酸化還元特性を示す物質を含有する電解質層からなる光電変換素子において、前記電解質層の厚みをある関係式を満たすように最適化して作製することを特徴とする光電変換素子。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
少なくとも一方が透明な2枚の導電性基板と、当該導電性基板のうち片方の導電性基板の導電面上に設けられた増感剤により修飾された半導体層と、当該2枚の導電性基板の間に設けられた、少なくとも可逆な電気化学的酸化還元特性を示す物質を含有する電解質層からなる光電変換素子であって、前記電解質層の厚みb(m)が下記関係式を満たすように作製して成ることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件):
FI (2件):
H01M14/00 P
, H01L31/04 Z
Fターム (12件):
5F051AA14
, 5F051BA14
, 5H032AA06
, 5H032AS16
, 5H032CC16
, 5H032CC17
, 5H032EE05
, 5H032EE07
, 5H032EE16
, 5H032HH02
, 5H032HH04
, 5H032HH08
引用特許: