薄膜エピタキシャルウェ-ハおよびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：安倍逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-026103
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209055
出願日： 1997年01月24日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】電気的特性が向上し、かつ製造時の歩留りも大きい薄膜エピタキシャルウェーハおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 CZ基板作製後に表面をH2アニール処理する。COP(0.13μm以上)が表面に存在しない。または、COP数が少ない単結晶シリコン基板を作る。この単結晶基板に減圧でエピタキシャル成長する。このように単結晶基板をH2アニールすることにより、薄膜エピウェーハの作製後、エピ層表面のCOPが消失または減少する。よって、COPを原因とした単結晶基板の欠陥が解消されたり小さくなり、薄膜エピウェーハの電気的特性の向上が図れ、しかも製造時の歩留りも大きくなる。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン基板と、この単結晶シリコン基板上に設けられ、COPが表面に存在しない薄膜のエピタキシャル層と、を備え、上記単結晶シリコン基板は、CZ法により引き上げられた単結晶シリコン基板の表面に、H2ガスを流しながら所定温度で加熱処理することにより、COPがその表面に存在しない薄膜エピタキシャルウェーハ。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C30B 29/06 , H01L 21/20

FI (3件)：

H01L 21/205 , C30B 29/06 A , H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (12件)

シリコンウェーハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-181715 出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
COPを低減した張り合わせ半導体基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-209294 出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
特開平3-233936

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