特許

J-GLOBAL ID：200903026038259088

低誘電率材料の製造方法および低誘電率材料、並びにこの低誘電率材料を用いた絶縁膜および半導体装置

発明者： 信時 英治 ,  熊田 輝彦 ,  豊島 利之 ,  保田 直紀 ,  長江 偉
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-311405
公開番号（公開出願番号）：特開2003-119289
出願日： 2001年10月09日
公開日（公表日）： 2003年04月23日
要約：

【要約】【課題】 誘電率や耐水性に優れた低誘電率材料を得る。【解決手段】 化学式(1-2)で示される、ボラジン骨格系構造が含有された材料を熱処理して得られるものである。【化2】(上式中、R1〜R6は、水素原子、炭素原子数1〜20のアルキル基、アリル基、置換アリル基、アルケニル基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシル基、チオアルコキシル基、カルボニル基、シリル基、アルキルシリル基、ホスフィノ基、アルキルホスフィノ基またはSi(OR7)(OR8)(OR9)であって、少なくとも1つは水素原子ではなく、R7〜R9は水素原子、炭素原子数1〜20のアルキル基、アリル基、置換アリル基、アルケニル基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシル基、チオアルコキシル基、カルボニル基、シリル基、アルキルシリル基、ホスフィノ基またはアルキルホスフィノ基である。)

請求項（抜粋）：

化学式(1-1)【化1】において、R1〜R6の少なくとも1つが結合手となって、無機または有機材料の分子中にボラジン骨格系構造が含有された材料を熱処理する低誘電率材料の製造方法。(上式中、上記結合手以外のR1〜R6は、水素原子、炭素原子数1〜20のアルキル基、アリル基、置換アリル基、アルケニル基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシル基、チオアルコキシル基、カルボニル基、シリル基、アルキルシリル基、ホスフィノ基、アルキルホスフィノ基またはSi(OR7)(OR8)(OR9)であって、少なくとも1つは水素原子ではなく、R7〜R9は水素原子、炭素原子数1〜20のアルキル基、アリル基、置換アリル基、アルケニル基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシル基、チオアルコキシル基、カルボニル基、シリル基、アルキルシリル基、ホスフィノ基またはアルキルホスフィノ基である。)

IPC (3件)：

C08G 79/08 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

C08G 79/08 ,  H01L 21/312 A ,  H01L 21/90 S

Fターム (44件)：

4J030CA01 ,  4J030CA02 ,  4J030CB01 ,  4J030CC06 ,  4J030CC07 ,  4J030CC08 ,  4J030CD11 ,  4J030CE02 ,  4J030CF09 ,  4J030CG01 ,  4J030CG03 ,  4J030CG04 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033RR24 ,  5F033RR25 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033TT04 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28 ,  5F058AA04 ,  5F058AA10 ,  5F058AC10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 耐熱低誘電率材料並びにこれを用いた半導体層間絶縁膜及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-153600   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-182975   出願人：三菱電機株式会社