特許
J-GLOBAL ID：200903026087326696
化合物半導体結晶成長用坩堝
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-243554
公開番号（公開出願番号）：特開2003-055083
出願日： 2001年08月10日
公開日（公表日）： 2003年02月26日
要約：
【要約】【課題】 縦型ブリッジマン法で良質の化合物半導体単結晶を歩留まりよく成長させることができかつ成長した単結晶を容易に抜き出すことができる坩堝を提供する。【解決手段】 縦型ブリッジマン法で化合物半導体単結晶を成長させるための坩堝1において、所定の横断面積と長さを有するの結晶成長部1aと、この結晶成長部の下部に接続されていてその結晶成長部に比べて小さな横断面積と長さを有する種結晶生成部1cとを含み、その種結晶生成部にはそれとほぼ同等の長さを有する凝固開始促進部材2dが挿入されており、その凝固開始促進部材には所定深さの穴が形成されている。
請求項（抜粋）：
縦型ブリッジマン法で化合物半導体結晶を成長させるための坩堝であって、所定の横断面積と長さを有するの結晶成長部と、前記結晶成長部の下部に接続されていてその結晶成長部に比べて小さな横断面積と長さを有する凝固開始部とを含み、前記凝固開始部にはそれとほぼ同等の長さを有する凝固開始促進部材が挿入されており、前記凝固開始促進部材には所定深さの穴が形成されていることを特徴とする化合物半導体結晶成長用坩堝。
Fターム (7件)：
4G077AA02
, 4G077BE46
, 4G077CD02
, 4G077EG01
, 4G077HA12
, 4G077MB04
, 4G077NC01
